Prof. Dr. Shi-Jin Ding

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-3 und Äquivalente
FachgebietElektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik,Werkstofftechnik
KeywordsAtomic layer deposition (ALD) technique, Non-volatile memory technology, High-k dielectric/Metal gate stack, Low-k material and copper integration, MIM capacitors for RF and mixed signal application

Aktuelle Kontaktadresse

LandChina, VR
OrtShanghai
Universität/InstitutionFudan University
Institut/AbteilungDepartment of Microelectronics

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Franz FaupelLehrstuhl für Materialverbunde, Christian-Albrechts-Universität zu Kiel, Kiel
Beginn der ersten Förderung01.12.2001

Programm(e)

2001Humboldt-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2003Shi-Jin Ding, David Wei Zhang, Ji-Tao Wang, Wei William Lee: Chemical bonding of magnetron-sputtered copper on PECVD amorphous SiCOF film . In: Applied Surface Science, 2003, 321-330
2003S.-J. Ding, V. Zaporojtchenko, J. Kruse, J. Zekonyte, F. Faupel: Investigation of the interaction of evaporated aluminum with vapor deposited Teflon AF films via X-ray photoelectron spectroscopy . In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2003, 851-856